Po wprowadzeniu Pamięć RAM LPPDR5XSamsung wprowadził wczoraj nowy rodzaj pamięci, ale tym razem jest to pamięć do przechowywania. Zasadniczo, jeśli po raz pierwszy wprowadził pamięć RAM do wersji 3.0, dziś przyniósł dysk twardy smartfonów do wersji 4.0. Samsunga UFS 4.0 to nazwa nowego modułu, który obiecuje ogromne prędkości odczytu i zapisu, nawet wyższe niż w Xbox Series X. Zobaczmy szczegóły.
Samsung UFS 4.0 to nowa pamięć do urządzeń mobilnych, która obiecuje ogromne prędkości odczytu i zapisu. Na przyszłorocznych flagowcach
Jednostki w nowoczesnych smartfonach są już bardzo szybkie, ale oczywiście będą jeszcze szybsze. A dziś Samsung wprowadzono nominalnie następna generacja pamięci flash: UFS 4.0. Nominalnie oznacza to, że pamięć nie została jeszcze wyprodukowana, ale przyjedzie w krótkim czasie, prawdopodobnie z flagowcami nowej generacji. Firma opracowała rozwiązanie pamięci masowej Universal Flash Storage (UFS) 4.0 najlepsze wyniki w branży, który uzyskał aprobatę JEDEC.
Współpracując z producentami smartfonów i urządzeń konsumenckich na całym świecie, mówi, że aktywnie pracuje nad stworzeniem ekosystemu dla UFS 4.0, aby przewodzić na rynku wysokowydajnych mobilnych rozwiązań pamięci masowej. UFS 4.0 zapewnia prędkość do 23.2 Gb/s na linię, dwukrotnie więcej niż UFS 3.1. W rezultacie, dzięki ulepszonej pamięci V-NAND siódmej generacji i autorskiemu kontrolerowi, nowa pamięć zapewnia prędkość odczytu sekwencyjnego do 4200MB/s i prędkości zapisu do 2800MB/s. Jest to szybsze niż dysk SSD Xbox Series X, mimo że jest znacznie gorszy od jednostki PlayStation 5.
Samsung mówi też o poprawie efektywności energetycznej. Nowa pamięć oferuje 6 MB/s przy 1 mA, a 46% poprawa w stosunku do UFS 3.1. Ponadto firma mówi o zwartości rozwiązania. Rozmiar chipa wyniesie 11 x 13 x 1 mm, a pojemność osiągnie 1 TB. Produkcja pamięci UFS 4.0 rozpocznie się za trzeci kwartał tego roku. Oznacza to, że kolejna generacja flagowych smartfonów będzie już mogła korzystać z tej pamięci.
